IRF7855TRPBF vs IRF7815TRPBF
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包裹
SOIC-8
SOIC-8
描述
MOSFET N-CH 150V 5.1A 8SO
MOSFET N-CH 60V 12A 8SO
Series
HEXFET®
HEXFET®
ProductStatus
Active
Active
FETType
N-Channel
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss)
150 V
60 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C
5.1A (Ta)
12A (Ta)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn)
10V
10V
RdsOn(Max)@IdVgs
43mOhm @ 3.1A, 10V
9.4mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id
5V @ 100µA
4.9V @ 100µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs
38 nC @ 10 V
39 nC @ 10 V
Vgs(Max)
±20V
±20V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds
1647 pF @ 75 V
1560 pF @ 25 V
PowerDissipation(Max)
2.5W (Ta)
2.5W (Ta)
OperatingTemperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
-55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType
Surface Mount
Surface Mount
