IRF7821TRPBF vs IRF7855TRPBF
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包裹
SOIC-8
SOIC-8
描述
MOSFET N-CH 60V 12A 8SO
MOSFET N-CH 30V 13.6A 8SO
Series
HEXFET®
HEXFET®
ProductStatus
Active
Active
FETType
N-Channel
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss)
60 V
30 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C
12A (Ta)
13.6A (Ta)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn)
10V
4.5V, 10V
RdsOn(Max)@IdVgs
9.4mOhm @ 12A, 10V
9.1mOhm @ 13A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id
4.9V @ 100µA
1V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs
39 nC @ 10 V
14 nC @ 4.5 V
Vgs(Max)
±20V
±20V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds
1560 pF @ 25 V
1010 pF @ 15 V
PowerDissipation(Max)
2.5W (Ta)
2.5W (Ta)
OperatingTemperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
-55°C ~ 155°C (TJ)
MountingType
Surface Mount
Surface Mount
