WNSC6D08650Q

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WNSC6D08650Q

+物料清單

SILICON CARBIDE SCHOTTKY DIODE I

  • 製造商瑞能電晶體

  • 製造商部分 #WNSC6D08650Q

  • 包裹 TO-220-2

  • 有存貨990

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90-日售後保障

正品保證

規格

屬性 價值
Supplier WeEn Semiconductors
Package Tube
ProductStatus Active
DiodeType Silicon Carbide Schottky
Voltage-DCReverse(Vr)(Max) 650 V
Current-AverageRectified(Io) 8A
Voltage-Forward(Vf)(Max)@If 1.4 V @ 8 A
Speed No Recovery Time > 500mA (Io)
ReverseRecoveryTime(trr) 0 ns
Current-ReverseLeakage@Vr 50 µA @ 650 V
Capacitance@VrF 402pF @ 1V, 1MHz
MountingType Through Hole
Package/Case TO-220-2
SupplierDevicePackage TO-220AC