IXTD1R4N60P 11

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IXTD1R4N60P 11

+物料清單

MOSFET N-CH 600V 1.4A DIE

  • 製造商IXYS公司

  • 製造商部分 #IXTD1R4N60P 11

  • 有存貨3357

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90-日售後保障

正品保證

規格

屬性 價值
Supplier IXYS
Package / Case Tube
Series PolarHV™
Part Status Obsolete
FET Type N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 1.4A (Tc)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) 10V
Rds On(Max) @ Id Vgs 9Ohm @ 700mA, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id 5.5V @ 25µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 5.2 nC @ 10 V
Vgs(Max) ±30V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 140 pF @ 25 V
Power Dissipation (Max) 50W (Tc)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount
Supplier Device Package Die

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