STD10NM60N vs STD10P10F6
對 STD10NM60N 和 STD10P10F6 的深入比較，為您帶來關於其規格和關鍵特性的寶貴見解。我們詳細介紹了重要因素，包括 RoHS 合規性、REACH 狀態、系列、安裝方式、封裝類型以及其他相關特性。並排展示差異，簡化了元件選擇，讓您更輕鬆地為您的特定應用選擇最佳方案。如需更多信息，請參閱其數據手冊或聯繫我們的銷售團隊，我們將協助您選擇適合您設計的元件。
包裹
TO-252-3
TO-252-3
描述
MOSFET N-CH 600V 10A DPAK
MOSFET P-CH 100V 10A DPAK
Series
MDmesh™ II
STripFET™ F6
ProductStatus
Active
Active
FETType
N-Channel
P-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss)
600 V
100 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C
10A (Tc)
10A (Tc)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn)
10V
10V
RdsOn(Max)@IdVgs
550mOhm @ 4A, 10V
180mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id
4V @ 250µA
4V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs
19 nC @ 10 V
16.5 nC @ 10 V
Vgs(Max)
±25V
±20V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds
540 pF @ 50 V
864 pF @ 80 V
PowerDissipation(Max)
70W (Tc)
40W (Tc)
OperatingTemperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
175°C (TJ)
MountingType
Surface Mount
Surface Mount
