STD10NM60N vs STD10N60M2

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規格
STD10N60M2

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3159 件 | 意法半導體
STD10NM60N

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4240 件 | 意法半導體
包裹 TO-252-3 TO-252-3
描述 MOSFET N-CH 600V 7.5A DPAK MOSFET N-CH 600V 10A DPAK
Series MDmesh™ II Plus MDmesh™ II
ProductStatus Active Active
FETType N-Channel N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss) 600 V 600 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 7.5A (Tc) 10A (Tc)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) 10V 10V
RdsOn(Max)@IdVgs 600mOhm @ 3A, 10V 550mOhm @ 4A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 13.5 nC @ 10 V 19 nC @ 10 V
Vgs(Max) ±25V ±25V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 400 pF @ 100 V 540 pF @ 50 V
PowerDissipation(Max) 85W (Tc) 70W (Tc)
OperatingTemperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType Surface Mount Surface Mount
比較模型 : STD10N60M2 STD10NM60N

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