SI2302DDS-T1-GE3 vs SI2301BDS-T1-E3 比較
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包裹
SOT-23-3
SOT-23-3
描述
MOSFET P-CH 20V 2.2A SOT23-3
MOSFET N-CH 20V 2.9A SOT23-3
Series
TrenchFET®
TrenchFET®
Part Status
Active
Active
FET Type
P-Channel
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
20 V
20 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C
2.2A (Ta)
2.9A (Tj)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On)
2.5V, 4.5V
2.5V, 4.5V
Rds On(Max) @ Id Vgs
100mOhm @ 2.8A, 4.5V
57mOhm @ 3.6A, 4.5V
Vgs(th)(Max) @ Id
950mV @ 250µA
850mV @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs
10 nC @ 4.5 V
5.5 nC @ 4.5 V
Vgs(Max)
±8V
±8V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds
375 pF @ 6 V
-
Power Dissipation (Max)
700mW (Ta)
710mW (Ta)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Surface Mount
