MMBFJ202 vs MMBFJ201_G
對 MMBFJ202 和 MMBFJ201_G 的深入比較，為您帶來關於其規格和關鍵特性的寶貴見解。我們詳細介紹了重要因素，包括 RoHS 合規性、REACH 狀態、系列、安裝方式、封裝類型以及其他相關特性。並排展示差異，簡化了元件選擇，讓您更輕鬆地為您的特定應用選擇最佳方案。如需更多信息，請參閱其數據手冊或聯繫我們的銷售團隊，我們將協助您選擇適合您設計的元件。
包裹
TO-236-3
TO-236-3
描述
SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
INTEGRATED CIRCUIT
Supplier
Rochester Electronics, LLC
onsemi
ProductStatus
Active
Obsolete
FETType
N-Channel
N-Channel
Voltage-Breakdown(V(BR)GSS)
40 V
40 V
Current-Drain(Idss)@Vds(Vgs=0)
900 µA @ 20 V
200 µA @ 20 V
Voltage-Cutoff(VGSoff)@Id
800 mV @ 10 nA
300 mV @ 10 nA
Power-Max
350 mW
350 mW
OperatingTemperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
-55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType
Surface Mount
Surface Mount
