MMBFJ108 vs MMBFJ202

對 MMBFJ202 和 MMBFJ108 的深入比較,為您帶來關於其規格和關鍵特性的寶貴見解。我們詳細介紹了重要因素,包括 RoHS 合規性、REACH 狀態、系列、安裝方式、封裝類型以及其他相關特性。並排展示差異,簡化了元件選擇,讓您更輕鬆地為您的特定應用選擇最佳方案。如需更多信息,請參閱其數據手冊或聯繫我們的銷售團隊,我們將協助您選擇適合您設計的元件。
規格
MMBFJ202

+物料清單

24610 件 | 飛兆電晶體公司
MMBFJ108

+物料清單

9924 件 | 安森美
包裹 TO-236-3 TO-236-3
描述 SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI JFET N-CH 25V 350MW SSOT3
Supplier Rochester Electronics, LLC onsemi
ProductStatus Active Active
FETType N-Channel N-Channel
Voltage-Breakdown(V(BR)GSS) 40 V 25 V
Current-Drain(Idss)@Vds(Vgs=0) 900 µA @ 20 V 80 mA @ 15 V
Voltage-Cutoff(VGSoff)@Id 800 mV @ 10 nA 3 V @ 10 nA
Power-Max 350 mW 350 mW
OperatingTemperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType Surface Mount Surface Mount
Resistance-RDS(On) - 8 Ohms
比較模型 : MMBFJ202 MMBFJ108

+物料清單 詢價