IRF640PBF vs IRF640
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包裹
TO-220-3
TO-220-3
描述
MOSFET N-CH 200V 18A TO220AB
MOSFET N-CH 200V 18A TO220AB
Series
MESH OVERLAY™
-
ProductStatus
Obsolete
Active
FETType
N-Channel
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss)
200 V
200 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C
18A (Tc)
18A (Tc)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn)
10V
10V
RdsOn(Max)@IdVgs
180mOhm @ 9A, 10V
180mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id
4V @ 250µA
4V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs
72 nC @ 10 V
70 nC @ 10 V
Vgs(Max)
±20V
±20V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds
1560 pF @ 25 V
1300 pF @ 25 V
PowerDissipation(Max)
125W (Tc)
125W (Tc)
OperatingTemperature
150°C (TJ)
-55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType
Through Hole
Through Hole
