FDS8958B vs FDS8928A
對 FDS8958B 和 FDS8928A 的深入比較，為您帶來關於其規格和關鍵特性的寶貴見解。我們詳細介紹了重要因素，包括 RoHS 合規性、REACH 狀態、系列、安裝方式、封裝類型以及其他相關特性。並排展示差異，簡化了元件選擇，讓您更輕鬆地為您的特定應用選擇最佳方案。如需更多信息，請參閱其數據手冊或聯繫我們的銷售團隊，我們將協助您選擇適合您設計的元件。
包裹
SOIC-8
描述
MOSFET N/P-CH 30V 6.4/4.5A 8SOIC
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 5
Supplier
-
Rochester Electronics, LLC
ProductStatus
Active
Active
Series
PowerTrench®
-
FETType
N and P-Channel
-
FETFeature
Logic Level Gate
-
DraintoSourceVoltage(Vdss)
30V
-
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C
6.4A, 4.5A
-
RdsOn(Max)@IdVgs
26mOhm @ 6.4A, 10V
-
Vgs(th)(Max)@Id
3V @ 250µA
-
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs
12nC @ 10V
-
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds
540pF @ 15V
-
Power-Max
900mW
-
OperatingTemperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
MountingType
Surface Mount
-
