FDG6301N vs FDG6302P
對 FDG6301N 和 FDG6302P 的深入比較，為您帶來關於其規格和關鍵特性的寶貴見解。我們詳細介紹了重要因素，包括 RoHS 合規性、REACH 狀態、系列、安裝方式、封裝類型以及其他相關特性。並排展示差異，簡化了元件選擇，讓您更輕鬆地為您的特定應用選擇最佳方案。如需更多信息，請參閱其數據手冊或聯繫我們的銷售團隊，我們將協助您選擇適合您設計的元件。
包裹
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
描述
MOSFET 2N-CH 25V 0.22A SC88
MOSFET 2P-CH 25V 0.14A SC70-6
Supplier
-
onsemi
ProductStatus
-
Obsolete
FETType
-
2 P-Channel (Dual)
FETFeature
-
Logic Level Gate
DraintoSourceVoltage(Vdss)
-
25V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C
-
140mA
RdsOn(Max)@IdVgs
-
10Ohm @ 140mA, 4.5V
Vgs(th)(Max)@Id
-
1.5V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs
-
0.31nC @ 4.5V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds
-
12pF @ 10V
Power-Max
-
300mW
OperatingTemperature
-
-55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType
-
Surface Mount
Part Status
Obsolete
-
Base Product Number
FDG6301
-
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
-
Configuration
2 N-Channel (Dual)
-
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4Ohm @ 220mA, 4.5V
-
Packaging
Cut Tape (CT), Tape & Reel (TR)
-
