SI8900EDB-T2-E1

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SI8900EDB-T2-E1

+物料清單

MOSFET 2N-CH 20V 5.4A 10-MFP

  • 製造商矽尼克斯

  • 製造商部分 #SI8900EDB-T2-E1

  • 包裹 UFBGA-10

  • 有存貨2692

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正品保證

規格

屬性 價值
Supplier Vishay Siliconix
Package / Case Tape & Reel (TR)
Series TrenchFET®
Part Status Active
FET Type 2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET Feature Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 5.4A
Vgs(th)(Max) @ Id 1V @ 1.1mA
Power - Max 1W
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount

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