SCT10N120H

圖片僅供參考

SCT10N120H

+物料清單

SICFET N-CH 1200V 12A H2PAK-2

  • 製造商意法半導體

  • 製造商部分 #SCT10N120H

  • 有存貨2024

365 天品質保證

7*24 小時服務保證

90-日售後保障

正品保證

規格

屬性 價值
Supplier STMicroelectronics
Package Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT)
ProductStatus Obsolete
FETType N-Channel
Technology SiCFET (Silicon Carbide)
DraintoSourceVoltage(Vdss) 1200 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 12A (Tc)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) 20V
RdsOn(Max)@IdVgs 690mOhm @ 6A, 20V
Vgs(th)(Max)@Id 3.5V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 22 nC @ 20 V
Vgs(Max) +25V, -10V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 290 pF @ 400 V
PowerDissipation(Max) 150W (Tc)
OperatingTemperature -55°C ~ 200°C (TJ)
MountingType Surface Mount
SupplierDevicePackage H2Pak-2