IPB017N10N5LFATMA1

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IPB017N10N5LFATMA1

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MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7

  • 製造商英飛淩科技

  • 製造商部分 #IPB017N10N5LFATMA1

  • 有存貨9420

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規格

屬性 價值
Supplier Infineon Technologies
Package Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT)
Series OptiMOS™-5
ProductStatus Active
FETType N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss) 100 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 180A (Tc)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) 10V
RdsOn(Max)@IdVgs 1.7mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id 4.1V @ 270µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 195 nC @ 10 V
Vgs(Max) ±20V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 840 pF @ 50 V
PowerDissipation(Max) 313W (Tc)
OperatingTemperature -55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType Surface Mount
SupplierDevicePackage PG-TO263-7

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