GT60N321(Q)

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GT60N321(Q)

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IGBT 1000V 60A 170W TO3P LH

  • 製造商東芝電晶體與存儲

  • 製造商部分 #GT60N321(Q)

  • 包裹 TO-3PL

  • 有存貨4428

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7*24 小時服務保證

90-日售後保障

正品保證

規格

屬性 價值
Supplier Toshiba Semiconductor and Storage
Package / Case Tube
Part Status Obsolete
Voltage - Collector Emitter Breakdown(Max) 1000 V
Current - Collector(Ic)(Max) 60 A
Current - Collector Pulsed(Icm) 120 A
Vce(on)(Max) @ Vge Ic 2.8V @ 15V, 60A
Power - Max 170 W
Input Type Standard
Td(on / off) @ 25°C 330ns/700ns
Reverse Recovery Time (trr) 2.5 µs
Operating Temperature 150°C (TJ)
Mounting Type Through Hole

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