G3S12010P

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G3S12010P

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SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 10A 2-P

  • 製造商全球電力科技GPT

  • 製造商部分 #G3S12010P

  • 包裹 TO-247-2

  • 有存貨7225

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90-日售後保障

正品保證

規格

屬性 價值
Supplier Global Power Technology-GPT
Package / Case Cut Tape (CT),Tape & Box (TB)
Part Status Active
Diode Type Silicon Carbide Schottky
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) 1200 V
Current - Average Rectified(Io) 37A (DC)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 1.7 V @ 110 A
Speed No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) 0 ns
Current - Reverse Leakage @ Vr 50 µA @ 1200 V
Capacitance @ Vr F 765pF @ 0V, 1MHz
Mounting Type Through Hole
Supplier Device Package TO-247AC

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