SI2301-TP vs SI2302DDS-T1-GE3
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包裹
SOT-23-3
SOT-23-3
描述
MOSFET N-CH 20V 2.9A SOT23-3
MOSFET P-CH 20V 2.8A SOT-23
Series
TrenchFET®
-
ProductStatus
Active
Active
FETType
N-Channel
P-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss)
20 V
20 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C
2.9A (Tj)
2.8A (Ta)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn)
2.5V, 4.5V
2.5V, 4.5V
RdsOn(Max)@IdVgs
57mOhm @ 3.6A, 4.5V
120mOhm @ 2.8A, 4.5V
Vgs(th)(Max)@Id
850mV @ 250µA
1V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs
5.5 nC @ 4.5 V
14.5 nC @ 4.5 V
Vgs(Max)
±8V
±8V
PowerDissipation(Max)
710mW (Ta)
1.25W (Ta)
OperatingTemperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
-55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType
Surface Mount
Surface Mount
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds
-
880 pF @ 6 V
