IRFHM792TRPBF vs IRFHM8363TR2PBF

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規格
IRFHM792TRPBF

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IRFHM8363TR2PBF

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包裹 VDFN-8 VDFN-8
描述 MOSFET 2N-CH 100V 2.3A 8PQFN MOSFET 2N-CH 30V 11A 8PQFN
Supplier Infineon Technologies Infineon Technologies
ProductStatus Last Time Buy Obsolete
FETType 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual)
FETFeature Standard Logic Level Gate
DraintoSourceVoltage(Vdss) 100V 30V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 2.3A 11A
RdsOn(Max)@IdVgs 195mOhm @ 2.9A, 10V 14.9mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id 4V @ 10µA 2.35V @ 25µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 6.3nC @ 10V 15nC @ 10V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 251pF @ 25V 1165pF @ 10V
Power-Max 2.3W 2.7W
MountingType Surface Mount Surface Mount
Series HEXFET® -
OperatingTemperature -55°C ~ 150°C (TJ) -
比較模型 : IRFHM792TRPBF IRFHM8363TR2PBF

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