IRF7470TRPBF vs IRF7410TRPBF
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包裹
SOIC-8
SOIC-8
描述
MOSFET P-CH 12V 16A 8SO
MOSFET N-CH 40V 10A 8SO
Series
HEXFET®
HEXFET®
ProductStatus
Active
Active
FETType
P-Channel
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss)
12 V
40 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C
16A (Ta)
10A (Ta)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn)
1.8V, 4.5V
2.8V, 10V
RdsOn(Max)@IdVgs
7mOhm @ 16A, 4.5V
13mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id
900mV @ 250µA
2V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs
91 nC @ 4.5 V
44 nC @ 4.5 V
Vgs(Max)
±8V
±12V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds
8676 pF @ 10 V
3430 pF @ 20 V
PowerDissipation(Max)
2.5W (Ta)
2.5W (Ta)
OperatingTemperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
-55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType
Surface Mount
Surface Mount
