IRF7404TRPBF vs IRF7478TRPBF
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包裹
SOIC-8
SOIC-8
描述
MOSFET N-CH 60V 7A 8SO
MOSFET P-CH 20V 6.7A 8SO
Series
HEXFET®
HEXFET®
ProductStatus
Obsolete
Active
FETType
N-Channel
P-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss)
60 V
20 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C
7A (Ta)
6.7A (Ta)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn)
4.5V, 10V
2.7V, 4.5V
RdsOn(Max)@IdVgs
26mOhm @ 4.2A, 10V
40mOhm @ 3.2A, 4.5V
Vgs(th)(Max)@Id
3V @ 250µA
700mV @ 250µA (Min)
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs
31 nC @ 4.5 V
50 nC @ 4.5 V
Vgs(Max)
±20V
±12V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds
1740 pF @ 25 V
1500 pF @ 15 V
PowerDissipation(Max)
2.5W (Ta)
2.5W (Ta)
OperatingTemperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
-55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType
Surface Mount
Surface Mount
