IRF7341GTRPBF vs IRF7389
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包裹
SO8
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
描述
MOSFET N-CH 55V 5.1A
MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC
Supplier
-
Infineon Technologies
Series
HEXFET®
HEXFET®
ProductStatus
Active
Obsolete
FETType
2 N-Channel (Dual)
N and P-Channel
FETFeature
Standard
Logic Level Gate
DraintoSourceVoltage(Vdss)
55V
30V
RdsOn(Max)@IdVgs
50mOhm @ 5.1A, 10V
29mOhm @ 5.8A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id
1V @ 250µA (Min)
1V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs
44nC @ 10V
33nC @ 10V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds
780pF @ 25V
650pF @ 25V
Power-Max
2.4W
2.5W
OperatingTemperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
-55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType
Surface Mount
Surface Mount
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C
5.1A
-
