IRF530NSTRLPBF vs IRF5305STRLPBF
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包裹
TO-263-3
TO-263-3
描述
MOSFET N-CH 100V 17A D2PAK
MOSFET P-CH 55V 31A D2PAK
Series
HEXFET®
HEXFET®
ProductStatus
Active
Active
FETType
N-Channel
P-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss)
100 V
55 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C
17A (Tc)
31A (Tc)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn)
10V
10V
RdsOn(Max)@IdVgs
90mOhm @ 9A, 10V
60mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id
4V @ 250µA
4V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs
37 nC @ 10 V
63 nC @ 10 V
Vgs(Max)
±20V
±20V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds
920 pF @ 25 V
1200 pF @ 25 V
PowerDissipation(Max)
3.8W (Ta), 70W (Tc)
3.8W (Ta), 110W (Tc)
OperatingTemperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
-55°C ~ 175°C (TJ)
MountingType
Surface Mount
Surface Mount
