IRF1405PBF vs IRF1407PBF
對 IRF1407PBF 和 IRF1405PBF 的深入比較，為您帶來關於其規格和關鍵特性的寶貴見解。我們詳細介紹了重要因素，包括 RoHS 合規性、REACH 狀態、系列、安裝方式、封裝類型以及其他相關特性。並排展示差異，簡化了元件選擇，讓您更輕鬆地為您的特定應用選擇最佳方案。如需更多信息，請參閱其數據手冊或聯繫我們的銷售團隊，我們將協助您選擇適合您設計的元件。
包裹
TO-220-3
TO220
描述
MOSFET N-CH 75V 130A TO220AB
MOSFET N-CH 55V 169A TO220AB
Series
HEXFET®
HEXFET®
ProductStatus
Not For New Designs
Active
FETType
N-Channel
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss)
75 V
55 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C
130A (Tc)
169A (Tc)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn)
10V
10V
RdsOn(Max)@IdVgs
7.8mOhm @ 78A, 10V
5.3mOhm @ 101A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id
4V @ 250µA
4V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs
250 nC @ 10 V
260 nC @ 10 V
Vgs(Max)
±20V
±20V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds
5600 pF @ 25 V
5480 pF @ 25 V
PowerDissipation(Max)
330W (Tc)
330W (Tc)
OperatingTemperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
-55°C ~ 175°C (TJ)
MountingType
Through Hole
Through Hole
